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早起的三菱IGBT模块的发展？
我国的电子科技前景得越来越快。
与突破的关键技术和前景需求,早期的小功率、低频率、eupec可控硅前景现在,大功率,高频率,所有控制设备。
由于控制装置可以控制打开和关闭,大大提高了开关控制的灵活性。
自70年代末以来,可以关断可控硅元件(决定),大功率晶体管(GTR)或者是和它的模块有实际应用。
因为各种频率所有控制设备不断可用,并得到快速前景。
这些设备主要是电场晶体管(即功率MOSFET),绝缘栅双极晶体管(IGT或IGBT)、静电感应晶体管(SIT)和静电感应晶闸管(通过),等等。
*新电力电子器件的前景
现代电力电子设备仍在前景的方向,高功率,易于驾驶和高频率。
电力电子模块性是重要的一步,高功率密度的前景。
主要的电力电子器件的前景如下:
IGBT:绝缘栅双极型晶体管
三菱IGBT模块是一个N沟道增强型控制(电压)复合组件,如图1所示。
它属于ShaoZi设备类,两个功率MOSFET和双极器件的优点:高输入阻抗和开关速度快,宽阔的安全工作区,低饱和电压(甚至接近饱和压降的GTR)、高电压、大电流。
IGBT有望用于直流电压是1500 v高压变频器的系统。
目前,已经开发出大功率IGBT(沟IGBT)槽栅结构高压大电流的装置通常采用IGBT模块结构,它避免了在大量的电极线,减少了引线电感,提高可靠性。
其缺点是芯片面积利用率下降。
这种板压力焊接结构的高电压大电流IGBT模块将被广泛应用于高电压、大功率变换器。
正式的商业高电压大电流的IGBT器件尚未出现,电压和电流容量非常有限,远远不能满足前景的需求,电力电子应用技术特别是在许多应用领域的高压力,要求10千伏电压水平的设备。
目前只有通过IGBT串联技术如高压应用程序。
外国制造商如瑞士ABB公司采用柔软的原则通过发达8千伏IGBT器件,德国生产的EUPEC 6500 v / 600 a高压大功率IGBT设备实际应用,东芝也参与了现场。
中华人民共和国交通部:MOS控制晶闸管
MCT(MOS控制晶闸管)是一种新型的金属氧化物半导体和双相复合组件,如图2。它使用集成电路技术,在普通晶闸管结构使大量的金属氧化物半导体设备,由金属氧化物半导体装置的开关来控制可控硅导电和关闭。
MCT既有好的关闭和可控硅导电性能,有金属氧化物半导体场效应管高输入阻抗和低驱动功率和开关速度快的优势,克服了晶闸管速度慢,不能关闭和高压MOS场效应管进行大压降。
所以MCT被认为是很有前途的新电力设备。
MCT设备是*大的可以关闭当前已达到300一个,*多3 kv闭锁电压,将切断电流密度325 /平方厘米,并已由12个模块并联组成的中华人民共和国交通部。
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